Мы разрабатываем и внедряем метод роста карбида кремния на кремнии путём замещения атомов для микро- и оптоэлектроники

История

Ключевые этапы развития
лаборатории
1992-1999
Онование лаборатории в Институте Проблем Машиноведения (ИПМаш) и изучение процессов, протекающих при фазовых переходах
1999-2004
2005
2006
2007
2008
2009
2010
2011
2012
2013
2014
2015
2016
2017
2018
2019
1992-1999
Онование лаборатории в Институте Проблем Машиноведения (ИПМаш) и изучение процессов, протекающих при фазовых переходах
1999-2004
В 2004 году впервые в мировой практике был реализован метод последовательной замены атомов одного сорта другими прямо внутри исходного кристалла без разрушения его кристаллической структуры. Метод напоминает “генетический синтез” белковых структур в биологической структуры.
2005
Практическое применение полученных теоретических результатов роста тонких пленок A3B5, A2B6.
2008
Cоздано частное предприятие ООО «Новые кремниевые технологии» НКТ, целью которого было доведение разработки по росту SiC/Si до промышленного производства.
2010
Cовместно с НКТ лабораторией впервые в мировой практике на кремниевой подложке с буферным слоем карбида кремния была получена светодиодная структура, и работающей макет светодиода
2011
Получение грантов «Сколково», на основе которых было создано опытное производство подложек кремния с буферным слоем SiC
2012
На кремниевых подложках диаметром 2’-6’ (52 мм-150мм) были получены эпитаксиальные слои нано-SiC толщиной от 5 до 200 нм политипов 3С-SiC, 6H-SiC 4H-SiC
2017
Создание совместной лаборатории с ООО НТЦ НТ для внеднерия карбида кремния в промышленность
2018
В настоящий момент под руководством доктора физико-математических наук С.А. Кукушкина в лаборатории работают высококлассные специалисты и продолжаются как фундаментальные, так и прикладные исследования по основным направлениям деятельности лаборатории.
2018
Проведение конференции «Механизмы и нелинейные проблемы нуклеации и роста кристаллов и тонких плёнок»
Деятельность

Теоретическое и экспериментальное
исследование фазовых переходов в одно-
и мульти-компонентных средах
01

Разработка методики роста плёнок карбида кремния на подложках кремния путём замещения атомов

02

Рост тонких плёнок, наноструктур и квантовых точек

03

Влияние внешних полей (механических и электрических) на фазовые переходы

04

Теория переключения в ферроэлектриках

05

Теория нуклеации и рост плёнок широкозонных полупроводников на подложках кремния

06

Зарождение новой фазы в объеме твердого тела, кристаллизация и морфологическая устойчивость в многокомпонентных системах

Оборудование

В лаборатории собран комплекс уникального современного научного оборудования (УНО),позволяющий характеризовать свойства тонких плёнок и предназначенный для исследования оптических, фотоэлектрических, и механических свойств тонких плёнок и подложек, а также структуры и состава их поверхности. Такая совокупность приборов позволяет комплексно исследовать образец, получив полную информацию о нём за короткий промежуток времени. На сегодняшний день главное преимущество комплекса определяется количеством методов исследований тонких плёнок, а также уникальными характеристиками приборов, производства компаний - мировых лидеров и соответствующих высочайшим стандартам.

Гранты и проекты

Лаборатория имеет гранты РФФИ и РНФ,
а так же, в настоящее время, является
исполнителем по ряду проектов

Российский
научный фонд

Эпитаксия пленок карбида кремния на кремнии методом замещения атомов для роста широкозонных полупроводников

Российский фонд
фундаментальных исследований

Широкозонные полупроводниковые материалы для силовой электроники, формируемые на кремнии с буферным слоем нано-SiC

Российский фонд
фундаментальных исследований

Механизмы синтеза пленки монокристаллического карбида кремния на кремнии методом замещения атомов

Сотрудничество и партнёрство

Лаборатория сотрудничает
с отечественными и зарубежными институтами,
университетами и частными компаниями
Физико-технический институт
им. А.Ф. Иоффе
Технологический
институт
Академический
университет РАН
Политехнический университет
Петра Великого
Университет
восточной финляндии
Санкт-Петербургский
государственный университет
Сколково
Институт точной механики
и оптики
Новгородский государственный
университет им. Ярослава Мудрого
Topsil