Разработка методики роста плёнок карбида кремния на подложках кремния путём замещения атомов
Рост тонких плёнок, наноструктур и квантовых точек
Влияние внешних полей (механических и электрических) на фазовые переходы
Теория переключения в ферроэлектриках
Теория нуклеации и рост плёнок широкозонных полупроводников на подложках кремния
Зарождение новой фазы в объеме твердого тела, кристаллизация и морфологическая устойчивость в многокомпонентных системах
В лаборатории собран комплекс уникального современного научного оборудования (УНО),позволяющий характеризовать свойства тонких плёнок и предназначенный для исследования оптических, фотоэлектрических, и механических свойств тонких плёнок и подложек, а также структуры и состава их поверхности. Такая совокупность приборов позволяет комплексно исследовать образец, получив полную информацию о нём за короткий промежуток времени. На сегодняшний день главное преимущество комплекса определяется количеством методов исследований тонких плёнок, а также уникальными характеристиками приборов, производства компаний - мировых лидеров и соответствующих высочайшим стандартам.
Эпитаксия пленок карбида кремния на кремнии методом замещения атомов для роста широкозонных полупроводников
Широкозонные полупроводниковые материалы для силовой электроники, формируемые на кремнии с буферным слоем нано-SiC
Механизмы синтеза пленки монокристаллического карбида кремния на кремнии методом замещения атомов